王欣然、施毅教授课题组在二硫化钼电学输运领域取得重要进展

发布时间:2013-10-29浏览次数:149

我校港澳宝典资料大全王欣然教授、施毅教授课题组在二硫化钼(MoS2)电学输运研究领域取得重要进展,相关研究成果于2013年10月23日发表在《自然通讯》(Nature Communication 4, 2642,2013)。

MoS2是一种二维半导体材料(图1),具有1.8 eV直接带隙,在电子、光电器件方面有着广泛的应用前景,作为后硅时代的一种新型纳米电子材料,近年来得到了学术界和工业界的广泛关注。

在MoS2进一步走向应用化的道路上,实际器件迁移率远低于理论值一直困扰着学术界。世界的科研工作者在这一课题付出了诸多努力,但是对MoS2输运性质还没有一个较为系统和清晰的实验或者理论解释。王欣然、施毅教授课题组与东南大学合作,结合实验与理论计算,阐明了MoS2中的电子输运机制。

在这项工作中,作者利用高分辨透射电子显微镜对MoS2表面原子结构进行精细表征(图2),结果显示大量S空位缺陷存在于材料中。S空位对MoS2能带结构有非常显著的影响:基于密度泛函理论的第一性原理计算表明本征S空位缺陷在能隙中引入缺陷态,在低载流子浓度下,电子由Bloch波变为局域在缺陷态附近的局域化电子,电子输运只能通过局域态之间的跃迁实现,该输运机制限制了二硫化钼的本征迁移率,这一结果得到了变温输运测试的证实。随着载流子浓度的提高(通过场效应在MoS2体系中引入高载流子浓度),电子传输将由跃迁传输转变为扩展态传输(图3),这一模型也解释了在二硫化钼体系中金属态、甚至超导态的发现( Science 338, 1193 (2012) )。该研究对MoS2输运领域的一个关键问题进行了较为系统地解释,揭示了MoS2中的缺陷对电子输运和器件应用的影响,并且为进一步提高二硫化钼器件性能给出了理论指导。

该项研究得到国家重大科学研究计划项目、国家科技重大专项、国家自然科学基金、江苏省自然科学基金、江苏省高校优势学科建设工程项目等资助。

[color=#111111][font=Arial, Helvetica, sans-serif][size=13px][align=center][size=2][img=189,144]http://news.nju.edu.cn/uploadfck/image/20131024008.jpg[/img][/size][/align][size=2]图1二硫化钼结构示意图[/size]
[align=center][size=2][img=263,261]http://news.nju.edu.cn/uploadfck/image/20131024009.jpg[/img][/size][/align][size=2]图2 单层二硫化钼表面原子结构[/size]
[align=center][size=2][img=308,202]http://news.nju.edu.cn/uploadfck/image/20131024010.jpg[/img][/size][/align][size=2]图3 两种电子输运电子分布示意图 [/size]
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