2006和2011年分别在港澳宝典资料大全匡亚明学院和物理学院获理学学士和工学博士学位
2011-2014年在新加坡科技局——数据存储研究院(Data Storage Institute, A*STAR)担任科学家
2014-2017年在港澳宝典资料大全港澳宝典资料大全担任副研究员
2017年被聘为港澳宝典资料大全港澳宝典资料大全副教授，硕士生导师

2022年被聘为港澳宝典资料大全港澳宝典资料大全副教授，博士生导师

汤琨长期从事宽禁带半导体材料与器件的研究工作，特别是在氧化物及金刚石材料生长、掺杂调控、缺陷机理、纳米器件等领域取得丰富的研究成果；在包括Appl. Phys. Lett., Environ. Sci. & Technol., ACS Appl. Mater. Interface, Adv. Mater. Technol., Appl. Surf. Sci., J. Alloy. Compd. 等在内的国际著名期刊上发表70余篇SCI论文，引用1000余次，授权国家发明专利数项。

《半导体器件基础》，本科三年级
《半导体光电子材料与器件》，本科一年级
《高等半导体物理》，研究生

[1] W. K. Zhao, Y. Teng, K. Tang*, S. M. Zhu, K. Yang, K. K. Fan, G. Y. Zhao, L. X. Gu, B. Feng, R. Zhang, Y. D. Zheng, and S. L. Gu*, “A Theoretical study on dopants substituted on the H-terminated surface regulating the threshold concentration of nitrogen for accelerating diamond growth”, Diamond Relat. Mater. 147, 111317 (2024).

[2] Y. Teng, W. K. Zhao, K. Tang*, K. Yang, G. Y. Zhao, S. M. Zhu, J. D. Ye, and S. L. Gu*, “Nitrogen adsorption induced surface kinetics changes of diamond growth by MPCVD”, Diamond Relat. Mater. 146, 111181 (2024).

[3] Y. Teng, W. K. Zhao, K. Tang*, K. Yang, G. Y. Zhao, Y. Bian, J. D. Ye, S. M. Zhu, R. Zhang, Y. D. Zheng, and S. L. Gu*, “High efficiency of boron doping and fast growth realized with a novel gas inlet structure in diamond MPCVD system”, Carbon Lett. 34, 1115 (2023).

[4] W. K. Zhao, Y. Teng, K. Tang*, S. M. Zhu, D. Y. Liu, K. Yang, J. J. Duan, Y. M. Huang, Z. A. Chen, J. D. Ye, and S. L. Gu*, “An innovative gas inlet design in a microwave plasma chemical vapor deposition chamber for high-quality, high-speed, and high-efficiency diamond growth”, J. Phys. D: Appl. Phys. 56, 375104 (2023).

[5] G. Y. Zhao, Y. M. Huang, K. Tang*, Z. H. Ye, M. Zhang, S. M. Zhu, J. D. Ye, R. Zhang, Y. D. Zheng, and S. L. Gu*, “Design of a quantum-spin sensor with sub-micron resolution and enhanced optical read-out ability by the nitrogen-vacancy centers in diamond”, J. Mater. Res. 38, 4819 (2023).