徐永兵，1965年生于江苏南通如东，港澳宝典资料大全物理系学士、硕士及博士，英国利兹大学博士，剑桥大学博士后，英国EPSRC Fellow。港澳宝典资料大全自旋芯片与技术全国重点实验室主任，国家级领军人才，特聘教授。国家重大研发计划（973）首席科学家、国家自然科学基金重大仪器研制项目负责人, 江苏省新一代微纳电子信息创新团队负责人。曾在英国Leeds大学（研究助理）、英国国家同步辐射实验室（团队领导）、剑桥大学卡文迪许实验室（高级研究员，博导)、约克大学（纳米技术首席终身教授，约克自旋电子学实验室主任）工作多年，并担任港澳宝典资料大全（Nanjing University）-约克大学（York University）自旋电子学国际联合研究中心主任（Co-Director）。
徐永兵教授专长于自旋电子学、自旋存储芯片（MRAM,SpinFET）、极深紫外光源技术、超快光电子能谱的研究，在Prog.Mater.Sci., Sci.Adv., Phys. Rev. Lett., Nat. Comm., Adv. Mater., Nano Letter, ACS Nano 等SCI学术期刊上发表研究论文500多篇，申请及授权相关专利50余项，是零磁场下STT 效应 (STT-MRAM)及自旋芯片材料（SpinFET）的开创者之一。 2000年获英国国家工程和物理科学研究部杰出科学奖EPSRC Advanced Fellowship Award，为当年剑桥大学唯一入选者。任英、中、美十多所著名大学组成的世界大学联盟WUN“自旋电子学”重大国际合作项目执行委员会主席，是美国自然科学基金评审委员会委员，欧洲科学基金评审委员会委员，英国物理协会委员会委员，英国科技部十年规划委员会委员，是五次国际自旋电子学会议的大会主席。同时担任国际著名出版社Elsevier综述刊物《Current Opinion in Solid State and Material Science》编辑，国际著名出版社Taylor and Francis 《Spintronic Materials and Technology》及《Electronic Materials and Devices》丛书主编，以及Springer重大参考书《Handbook of Spintronics》的主编。
出版论著：
[1]Yongbing Xu and Sarah Thompson, “Spintronic Materials and Technology”, Taylor & Francis Group, LLC, ISBN: 0849392993, Publication Date: 10/26/2006
[2]Yongbing Xu, David Awschalom, and Junsaku Nitta, “Handbook of Spintronics”, Two Volumes, Springer, ISBN 978-94-007-6892-5, Published, 2016.
[3] Wenqing Liu, Yongbing Xu,Spintronic 2D Materials: Fundamentals and Applications, Elsevier,ISBN: 9780081021545, Published, 2019.

先进电子材料与器件、自旋电子学、自旋存储芯片（MRAM,SpinFET）、传感器、极深紫外光源技术、光电子能谱，分子束外延生长，纳米制造等。

徐永兵教授讲授以下课程（中英文）：
Advanced Information Storage（先进信息存储）
Spintronics （自旋电子学概论）
Solid State Physics（固体物理）
Nanoelectronics（纳米电子学）
Nanofabrication & NanoMeasurements（纳米制造）
High Frequency and High Speed Electronics（高频高速电子学）

(1) Lu, X.; Lin, Z.; Pi, H.; Zhang, T.; Li, G.; Gong, Y.; Yan, Y.; Ruan, X.; Li, Y.; Zhang, H.; Li, L.; He, L.; Wu, J.; Zhang, R.; Weng, H.; Zeng, C.; Xu, Y. B. * Ultrafast magnetization enhancement via the dynamic spin-filter effect of type-II Weyl nodes in a kagome ferromagnet. Nature communications 2024, 15 (1), 2410. 

(2) Zhang, X.; Lu, Q.; Liu, W.; Niu, W.; Sun, J.; Cook, J.; Vaninger, M.; Miceli, P. F.; Singh, D. J.; Lian, S. W.; Chang, T. R.; He, X.; Du, J.; He, L.; Zhang, R.; Bian, G.; Xu, Y. B. * Room-temperature intrinsic ferromagnetism in epitaxial CrTe2 ultrathin films. Nature communications 2021, 12 (1), 2492. 

(3) Liu, B.; Liu, S.; Yang, L.; Chen, Z.; Zhang, E.; Li, Z.; Wu, J.; Ruan, X.; Xiu, F.; Liu, W.; He, L.; Zhang, R.; Xu, Y. B. * Light-Tunable Ferromagnetism in Atomically Thin Fe₃GeTe₂ Driven by Femtosecond Laser Pulse. Physical review letters 2020, 125 (26). 

(4) Liu, W. Q.; Xu, Y. B. *; He, L.; van der Laan, G.; Zhang, R.; Wang, K. Experimental observation of dual magnetic states in topological insulators. Sci. Adv. 2019, 5 (2). 

(5) Liu, W. Q.; Wong, P. K. J.; Xu, Y. B. * Hybrid spintronic materials: Growth, structure and properties. Progress in Materials Science 2019, 99, 27-105. 

(6) Liu, B.; Niu, W.; Chen, Y. D.; Ruan, X. Z.; Tang, Z. X.; Wang, X. F.; Liu, W. Q.; He, L.; Li, Y.; Wu, J.; Tang, S. L.; Du, J.; Zhang, R.; Xu, Y. B. * Ultrafast Orbital-Oriented Control of Magnetization in Half-Metallic La0.7Sr0.3 MnO3 Films. Advanced Materials 2019, 31 (11). 

(7) Liu, W. Q.; West, D.; He, L.; Xu, Y. B. *; Liu, J.; Wang, K. J.; Wang, Y.; van der Laan, G.; Zhang, R.; Zhang, S. B.; Wang, K. L. Atomic-Scale Magnetism of Cr-Doped Bi2Se3 Thin Film Topological Insulators. Acs Nano 2015, 9 (10), 10237-10243. 

(8) Liu, W. Q.; He, L.; Xu, Y. B. *; Murata, K.; Onbasli, M. C.; Lang, M. R.; Maltby, N. J.; Li, S. P.; Wang, X. F.; Ross, C. A.; Bencok, P.; van der Laan, G.; Zhang, R.; Wang, K. L. Enhancing Magnetic Ordering in Cr-Doped Bi2Se3 Using High-T-C Ferrimagnetic Insulator. Nano letters 2015, 15 (1), 764-769. 

(9) Lepadatu, S.; Xu, Y. B.* Direct observation of domain wall scattering in patterned Ni80Fe20 and Ni nanowires by current-voltage measurements. Physical review letters 2004, 92 (12), 127201. 

(10) Claydon, J. S.; Xu, Y. B. *; Tselepi, M.; Bland, J. A. C.; van der Laan, G. Direct observation of a bulklike spin moment at the Fe/GaAs(100)-4x6 interface. Physical review letters 2004, 93 (3).